宿州干式变压器中分布电容与屏蔽

对电路进行分析后未发现结构上可能导致不稳定的因素，于是改变输出采样的电压比，将输出调定在半电压24V上，使用90V的输入直流电压，在保证功率管安全的情况下进行调试。待电路工作正常后，再缓慢升高输入直流电压，经过多次试验，发现当Ui为180～250V时就可能引发振荡，最后判定是驱动宿州干式变压器各个绕组之间的分布电容在捣乱。

两只开关管的电容分布，其中C2是绕组NA的下端M与NB的上端P间的分布电容。当驱动宿州干式变压器的绕组NA输出正脉冲时NB输出负脉冲，TA管由截止转为饱和导通，于是TA管的源极即M点的电位急速升高，并通过电容C2提升NB绕组上端P的电位，升高的数值与两个绕组的分布电容C1、C2、C3有关，还和P点到地的高频阻抗以及M点电位上升的速度有关。如果提升的数值大于NB绕组自身的负脉冲幅度，就会引发TB管的瞬时导通，从而出现前面所述的间歇振荡。其他各管导通时也会有类似情况发生。

解决电磁干扰一般有三种途径，一是降低干扰源的强度，二是增强被驱动的MOS管的抗干扰能力，三是阻隔干扰的通路。在本例中，干扰源就是宿州干式变压器要传递的脉冲，这是无法降低的。给驱动加上负压，可以大大增强MOS管的抗干扰能力，这种方法为许多电源所采用。本例采用第三种方法，即在驱动宿州干式变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构共5个绕组和5个屏蔽层。
整个宿州干式变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地；两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地；N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接；N5将绕组ND与NA干式。这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时，屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变，由于N2和N3之间的分布电容，这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动宿州干式变压器之后，问题得到了全部解决。

需要特别提出的是，屏蔽的作用是将各个绕组干式开，以避免分布电容的不良影响。因此屏蔽层接到什么地方，是需要慎重考虑的，否则可能适得其反。如果图3 中的N3、N4不与NA相接，而是与N2一起接到功率地，则电容分布分别表示绕组NA的上下端与屏蔽层N3间，也就是功率地间的分布电容(实际上C6、C7分别是包含了C4、C1后的等效电容)。当NA输出正脉冲的上升沿时，TA迅速导通，M点电位跳升，于是C6、 C7中要有容性电流产生。M是低阻抗点，电流iC7对它的电位影响不大，但N点却是高阻抗点，iC6电流将瞬间降低它的电位，可能使TA管瞬间关断。因此不能采用这种连接方式。屏蔽层N3、N4如改与NA的同名端相接，效果也不好。